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Intel遇劲敌 GF将于2014年量产14nm-XM工艺
发布时间: 2012-09-24

在日前的秋季IDF大会上,Intel表示其14nm工艺进展顺利,最快年底开始应用,2014年大规模量产。而作为其老对手的GlobalFoundries也并没有束手待毙,近日就宣布在14nm工艺节点新增XM 3D晶体管工艺,量产时间同样为2014年。

值得注意的是,GF以往的工艺升级间隔都为2年,14nm-XM工艺与2013年量产的20nm工艺间隔只有一年,这其中针对Intel 14nm Broadwell处理器的意味相当明显。

据悉,14nm-XM工艺具体名为XM PDK(eXtreme Mobility Process Development Kit,超级移动工艺开发套件),同样支持FinFET薄膜晶体管工艺,也就是3D晶体管工艺。该工艺预期在2013年早些时候流片,而GF在纽约的Malta的Fab 8晶圆厂将于2014年开始量产。

另外,GF公司的相关人士表示,新工艺将使用14nm的3D晶体管,并混合现有20nm工艺的部分特点。

GF称他们的14nm FinFET工艺的晶体管间距48nm,这与Intel的14nm 3D晶体管是一样的,其他方面的参数及功能和Intel相比也基本相近。也就是说,如果一切顺利,2014年的SOC芯片竞争会相当惨烈。